Физика полупроводников

Физика полупроводниковых приборов

Photoferroelastik Phenomena in Sb5O7I Crystals. «Phys. Stat. Sol(a)», 54, р.231-237, 1979 г.

Фоторефрактивный эффект в ферроэластике α-Sb5O7I Сб. «IX Всесоюзное совещание по сегнетоэлектричеству» Тезисы докладов, ч..II, стр.158. Ростов-на-Дону, 1979

Аномальный фотовольтаический эффект в LiNbO3 :Fe в поляризованном свете. Письма в ЖЭТФ, т. 30. вып. 11, стр.723-726. 1979г.

Photovoltaic and Photorefractive Phenomena in Ferroelectric Rb2ZnBr4 Technical report of ISSP. Ser. A. N1030, Tokyo, 1980г.

Photovoltaic and Photorefractive Phenomena in Ferroelectric Rb2ZnBr4 Journal of the Phys. Society of Japan. V.48, No.5, p.1588-1592, 1980.

Фотовольтаический эффект в пьезоэлектрике Вi12ТiО20. Физика твердого тела, т. 22,вып.9, с. 2870-2871,1980г.

Фотовольтаический эффект в кубических кристаллах ZnS Физика твердого тела, т. 22,вып.9, стр. 2820-2822,1980г.

Фоторефрактивный и фотовольтаический эффект в некоторых сегнетоэлектриках, сегнетоэластиках и пьезоэлектриках. Автореферат диссертации. Ростов-на-Дону, 1980г.

The Photorefractive effect in Ferroelactic Sb5O7I crystals. «Ferroelectrics» vol. 31, pp.15-17.1981.

Исследование фотодеформации в LiNbO3 : Fe при облучении поляризованным светом. Сборник «Тезисы докладов конференции проф. – препод. состава ЧИГУ им.Л.Н.Толстого по итогам научно-исследов. работы за 1982 год. » Грозный, 1983г., стр.235.

Влияние механических напряжений на температуру фазового перехода сегнетоэластиков. Депонировано. в ВИНИТИ, за № 5355-84 Депонирована. от 24.07.1984г.

Температурная зависимость и кинетика фотовольтаического тока в кубических кристаллах ZnS Физика твердого тела, т. 26, вып.11, стр.3449-3450, 1984г.

Искажение оптической индикатрисы кристалла LiNbO3 : Fe в поляризованном свете. Оптика и спектроскопия т. 61, вып. 4,стр791-795, 1986г.

Светоиндуцированное рассеяние и фотолюминесценция в ZnS. Тезисы докладов республиканской научно-технической конференции. Грозный, 30-31 октября 1987г., стр. 5.

Анизотропия оптического искажения в кристаллах LiNbO3 : Fe. V семинар по сегнетоэлектрикам. г. Ростов-на-Дону, 1987г.

Влияние магнитного поля на температурный гистерезис сегнетоэлектрика BaTiO3 . Тезисы докладов Всесоюзного семинара по магнетизму редкоземельных сплавов. Грозный. 15-20 июня 1988 г., стр. 118.

Магнитоиндуцированный ток в кристаллах LiNbO3 : Fe Тезисы докладов Всесоюзного семинара по магнетизму редкоземельных сплавов. Грозный. 15-20 июня 1988 г., стр. 123

Влияние магнитного поля на размытый фазовый переход в кристаллах (Sr 0,25 Ba 0,75)Nb2O6 Тезисы докладов Всесоюзного семинара. Проблемы зонной теории кристаллов. Грозный 7-9 декабря 1990г., стр.35.

Эффект Холла в электронном индии в сильных импульсных полях. Тезисы докладов Всесоюзного семинара. Проблемы зонной теории кристаллов. Грозный 7-9 декабря 1990г., стр.36.

Влияние ионизации примеси на оптические свойства полупроводника ZnS. Тезисы докладов научно-практической конференции. Назрань 2000г., стр. 241-242.

Светоиндуцированное рассеяние света в полупроводнике ZnS. Труды международной конференции. Оптика полупроводников ОS – 2000 г. Ульяновск,19-23 июня 2000г., стр. 42.

Влияние различных механизмов рассеяния на величину подвижности в высокоомном полупроводнике ZnS. Тезисы докладов научно-практической конференции. Назрань. 23.04.2002г., стр. 110-111.

Рассеяние неравновесных носителей заряда на ионах примеси в высокоомном полупроводнике ZnS. Сборник научных трудов Ингушского государственного университета. Выпуск первый. Назрань 2002г., стр. 460-465.

Диаграмма состояния системы TLInS2 – CuInS2 Сборник научных трудов Ингушского государственного университета. Выпуск первый, Назрань 2002 г., стр. 466-470.

Магнитострикция в кристаллах BaTiO3 . Материалы региональной научно-практической конференции г. Грозный,4-5 июня 2003 г., стр.41-42.

Создание освещением глубоких примесных уровней в ZnS. Труды V международной конференции. Оптика, оптоэлектроника и технологии. Ульяновск, 23-27 июня 2003г., с.139.

Энергия глубоких уровней создаваемых в ZnS освещением. Труды VI международной конференции. Оптo - ,наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы. г. Ульяновск, 4-8сентября 2004 г., с.103.

Влияние магнитного поля на удельную теплоемкость сегнетоэлектрика ВаТiO3. Материалы региональной межвузовской конференции. Вузовская наука в условиях рыночных отношений.(10-11 декабря 2003 г.), Грозный,2005 г., стр.34.

Влияние магнитного поля на удельную теплоемкость сегнетоэлектрика ВаТiO3. Тезисы докладов XVII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков. Пенза. 26 июня-1 июля, 2005г., стр.111.

Подвижность нетермализованных неравновесных носителей заряда в кубических кристаллах без центра симметрии. Труды VII международной конференции. Опто - наноэлектроника, нанотехнология и микросистемы. Ульяновск – Владимир,27-30 июня 2005г., стр.92.

Влияние различных механизмов рассеяния на величину подвижности нетермализованных неравновесных носителей заряда в кубических кристаллах ZnS. Труды VII международной конференции. Опто - наноэлектроника, нанотехнология и микросистемы. Ульяновск – Владимир, 27-30 июня 2005г., стр. 91.

Температурная зависимость подвижности нетермализованных неравновесных носителей заряда в кубическом ZnS. Труды VII международной конференции. Оптика, наноэлектроника, нанотехнология и микросистемы. Ульяновск – Владимир, 27-30 июня 2005г., стр. 93.

Влияние механических напряжений на ширину запрещенной зоны сегнетоэластиков. Материалы региональной научно-практической конференции «Вузовское образование и наука». Магас, 24 июня 2005г, стр.56-58.

Влияние механических напряжений на температуру фазового перехода сегнетоэластиков. The Fifth international Seminar on Ferroelastik Physics. Abstract book. Voronezh, Russia. September 10 – 13, 2006, p.37.

Влияние механических напряжений на коэффициент упругости сегнетоэластиков. The Fifth international Seminar on Ferroelastik Physics. Abstract book. Boronezh, Russia. September, 10 – 13, 2006, p.38.

Влияние магнитного поля на тепловую деформацию кристаллов ВаТiO3 вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода. Ordering in Minerals and Alloys.10-th International meeting.19-24 of September, 2007. Rostov-on-Don-Loo, Russia.v.2, p 22-24.

Влияние магнитного поля на размытый сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах (Sr 0,25 Ba 0,75)Nb2O6 . Ordering in Minerals and Alloys.10-th International meeting. 19-24 of September, 2007. Rostov-on-Don-Loo, Russia. v.2, p 20-21.

Влияние механических напряжений на температуру фазового перехода сегнетоэластиков. Известия Российской Академии Наук. Серия физическая. 2007 г., т.71, № 10, стр.1401-1402.

Энергия уровней ответственных за линейный фотогальванический эффект в кубическом ZnS. Труды IX международной конференции. Опто-, наноэлектроника, нанотехнология и микросистемы. Ульяновск- 24-30 сентября 2007г, стр.84.

Факторы, влияющие на температурную зависимость фотогальванического тока в средах без центра симметрии. Труды IX международной конференции. Опто - наноэлектроника, нанотехнология и микросистемы. Ульяновск- Туапсе, 24-30 сентября 2007г, стр.83.

Рассеяние неравновесных нетермализованных носителей заряда на акустических колебаниях в кристаллах без центра симметрии. Известия Высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Естественные науки. Том 3,стр.38-41. 2007 г.

Влияние длительности освещения на интенсивность фотолюминесценции в ZnS. Известия Высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Естественные науки. Том 4,стр.40-43. 2007 г.

Анизотропия коэффициента теплопроводности в кристаллах LiNbO3:Fе. Известия Высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Естественные науки. Том 5,стр.26-29. 2007 г.

Влияние механических напряжений на физические свойства сегнетоэластиков. Известия Высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Естественные науки. Том 6,стр.38-41. 2007 г.

Влияние механических напряжений на температуру фазового перехода монокристаллов BaTiO3. Вестник Чеченского государственного университета. 2007г., выпуск №1, стр.10-13.

Влияние одноосного механического напряжения на ориентацию фазовой границы в кристаллах ВаТiO3. XVIII Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков. Тезисы конференции. Санкт-Петербург, 9-14 июня 2008г., стр.73-74.

Магнитострикция в кристаллах титаната бария. XVIII Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков. Тезисы конференции. Санкт-Петербург, 9-14 июня 2008г., стр.310.

Влияние магнитного поля на удельную теплоемкость при сегнетоэлектрических фазовых переходах первого и второго рода. Ordering in Minerals and Alloys.11-th International meeting. 10-15 of September, 2008. Rostov-on-Don-Loo, Russia. v.2, p 41-44.

Энергия уровней ответственных за фотогальванический эффект в LiNbO3:Fе. Труды IX международной конференции. Опто - наноэлектроника, нанотехнология и микросистемы. OH12 – 11. Ульяновск- Туапсе, 25-30 май, 2009г, стр. 105.

Влияние одноосных механических напряжений на температуру фазового перехода монокристаллов ВаТiO3. Ordering in Minerals and Alloys.12-th International meeting. 10-15 of September, 2009. Rostov-on-Don-Loo, Russia. v.2, p. 80-84.

Диэлектрическая релаксация кристаллов ВаТiO3 подвергнутых воздействию магнитного поля. Труды ХХII международного семинара «Релаксационные явления в твердых телах».14-18 октября 2010, Воронеж, стр. 57.

Определение скрытой теплоты фазового перехода при сегнетоэлектрическом фазовом переходе в кристаллах ВаТiO3. Ordering in Minerals and Alloys.13-th International meeting. 9-15 of September, 2010. Rostov-on-Don-Loo, Russia. v.2, p. 67-68.

Определение энергии уровня примеси в кристаллах LiNbO3:Fе. Труды международной конференции «Инноватика – 2011», 2011г., Ульяновск, том 2, стр.34-35. т.76, № 3, стр.362-363.

Исследование спектров поглощения кристаллов LiNbO3 легированных железом. Труды международной конференции «Инноватика – 2011», 2011г., Ульяновск, том 2, стр.36-37.

Микропроцессорная система управляемая на расстоянии. Труды ХIII международной конференции. Опто - наноэлектроника, нанотехнология и микросистемы. 19-26 сентября 2011г, Ульяновск- Туапсе, стр. 30

Температурная зависимость подвижности нетермализованных неравновесных носителей заряда в кубическом ZnS вдали от фазового перехода. Известия Российской Академии Наук. Серия физическая. 2012 г.,

Изучение сегнетоэластического фазового перехода в кристаллах Sb5O7I. The Sventh international Seminar on Ferroelastic Physics. Abstract book. Voronezh, Russia. September,10-12,2012. P.29.

Температурная зависимость подвижности неравновесных нетермализованных дырок в кристаллах ZnS вдали от фазового перехода Труды международного междисциплинарного симпозиума «Физика поверхностных явлений, межфазных границ и фазовые переходы». Нальчик – пос.Лоо. Россия.18-23 сентября 2012 г.,стр. 201-205.

Энергия неравновесных нетермализованных дырок ответственных за фотогальванический эффект в кубическом ZnS. Труды международного междисциплинарного симпозиума «Физика поверхностных явлений, межфазных границ и фазовые переходы». Нальчик – пос.Лоо. Россия.18-23 сентября 2012 г.,стр. 206-208.

Температурная зависимость подвижности неравновесных нетермализованных дырок в кристаллах ZnS вдали от фазового перехода Известия Российской Академии Наук. Серия физическая. 2013 г., т.77, № 3, стр.281-283.

Изучение сегнетоэластического фазового перехода в кристаллах Sb5O7I Известия Российской Академии Наук. Серия физическая. 2013 г., т.77, № 8, стр.1161-1162. Рассеяние неравновесных нетермализованных дырок на акустических колебаниях в кристаллах ZnS. Order, Disorder and Properties of Oxides. 16-th International meeting. 7-12 of September, 2013. Rostov-on-Don-Tuapse, Russia. v.2, p. 14-17.

Рассеяние неравновесных нетермализованных дырок на оптических колебаниях в кристаллах ZnS. Order, Disorder and Properties of Oxides. 16-th International meeting. 7-12 of September, 2013. Rostov-on-Don-Tuapse, Russia. v.2, p. 17-22

К вопросу о носителях заряда ответственных за фотоэффект и фотогальванический эффект в кристаллах ZnS. Ordering in Minerals and Alloys. 16-th International meeting. 12-17 of September, 2013. Rostov-on-Don-Tuapse, Russia. v.2, p. 23-25

Температурная зависимость подвижности нетермализованных неравновесных носителей заряда в кристаллах ZnS Известия РАН. Серия физическая.2014г Москва.Т.78,№4, стр.497-498

Charge carriers responsible effect and photovoltaic effect in ZnS crystals. http/Linc.springer. com/10.3103/s1062873811404 200/ 2014. Heidelberg, Germany

Влияние температуры на величину фотогальванического тензора кристалла ZnS, кубической модификации. Третий международный молодежный симпозиум:Физика безсвинцовых пьезоактивных и родственных материалов. 2-6 сентября 2014 год. Г. Ростов-на-Дону_ Туапсе, том №2,137-139.

Расчет вредных газов в атмосфере III Ежегодная конференция профессорско- преподавательского состава Чеченского государственного университета. 20 февраля 2014 г. Г. Грозный, стр.23-25

Механизмы влияющие на температурную зависимость собственного и примесного фотогальванического тока в средах без центра симметрии. Труды восемнадцатого междисциплинарного симпозиума «Упорядочение в минералах и сплавах» ОМА-!8» Г.Ростов - на - Дону,2015 г.

Перспективы использования полупроводника ZnS в качестве активного элемента для лазера. Труды четвертого международного молодежного симпозиума «Физика безсвинцовых пъезоактивных и родственных материалов» Г.Ростов- на – Дону 2015 г.,, т. №2, стр.53-55

Влияние температуры на величину концентрации термализованных носителей заряда в кристаллах ZnS кубической модификации. Вестник Чеченского государственного университета .Г. Грозный 2015 г. Стр.51-53.

Влияние сильного электрического поля на удельную электропроводность германия. Физика безсвинцовых пьезоактивных и родственных материалов. (Анализ современного состояния и перспективы развития)(LFPM-2016) Труды пятого международного молодежного симпозиума. Г.Ростов –на – Дону –г.Туапсе, 12-15 сентября 2016 года, стр. 300-303

О механизме ответственном за температурную зависимость собственного фотогальванического тока в сегнетоэлектрике – сегнетоэластике β-Sb5O7I Вестник Академии наук Чеченской республики,№2(31), 2016, стр.16-19.

Механизм изменения типа электропроводности кристалла ZnS по температуре при освещении. Труды XIX международного междисциплинарного симпозиума «Упорядочение в минералах и сплавах» ОМА -19, Ростов на Дону – п.Южный, 10 – 15 сентября 2016 г. Выпуск 19. Том 1 Стр.295-300

Плотность квантовых состояний электронов и дырок в полупроводнике германии Научный вестник Ингушского государственного университета.№1-2, стр. 99-101.2016 г.

Энергия уровней создаваемых в полупроводнике германии примесями лития, фосфора и серы. Научный вестник Ингушского государственного университета.№1-2, стр. 101-104.2016 г.

Температура вырождения полупроводника германия. Научный вестник Ингушского государственного университета.№1-2, стр. 104-107. 2016 г.

Влияние интенсивности освещения на величину эффекта Дембера в кристаллах InSb. Труды шестого международного молодежного симпозиума «Физика безсвинцовых пьезоактивных и родственных материалов. Анализ современного состояния и перспективы развития» (LFPM-2017) Г.Ростов –на – Дону –г.Таганрог. 2-6 сентября 2017 года, стр. 12-13

Изучение факторов влияющих на температуру вырождения собственного полупроводника фосфида галлия. Труды пятого международного молодежного симпозиума «Физика безсвинцовых пьезоактивных и родственных материалов. Анализ современного состояния и перспективы развития» (LFPM-2017) Г.Ростов –на – Дону –г.Таганрог. 2-6 сентября 2017 года, стр. 119-121

Изучение факторов влияющих на температуру вырождения собственного полупроводника фосфида галлия. Труды пятого международного молодежного симпозиума «Физика безсвинцовых пьезоактивных и родственных материалов. Анализ современного состояния и перспективы развития» (LFPM-2017) Г.Ростов –на – Дону –г.Таганрог. 2-6 сентября 2017 года, стр. 119-121

Упругоооптический эффект в кристаллах KAI(SO4)212H2O Известия Чеченского государственного университета. №2(6),г. Грозный 2017 год, стр. 11-15

Влияние концентрации примеси на скрытую теплоту сегнетоэлектрического фазового перехода в кристаллах BaTiO3 . Сборник тезисов. XXI Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков.25-30 июня. 2017. Казань, стр. 96.

ОПТИЧЕСКИЕ ИНДИКАТРИСЫ ОДНООСНЫХ КРИСТАЛЛОВ Сборник: Наука и молодежь Материалы Всероссийской научно-практической конференции студентов, молодых ученых и аспирантов. 2017. С. 12-16.

The effect of the concentration of iron impurities on the thermal conductivity of lithium niobate. 14th Russia/CIS/Baltic/Japan Simposium on Ferroelectristy. Yung scientists on the spectroscopic studiesof critical dynamics at structural phase transitions. Abstract book. P. Ioffe Insttute St. Petersburg, Russia,Mae 14-18, 2018.

Влияние толщины пленки титаната бария на ширину ее запрещенной зоны. Ordering in Minerals and Alloys. 21-th Yubilee International meeting. 9-14 of September, 2018. Rostov-on-Don-Chepsi. Russia , p. 97-100.

Изучение гетероперехода созданного, при контакте полупроводника германия n-типа и кремния p-типа Труды Седьмого междисциплинарного молодежного симпозиума «Физика бессвинцовых Пъезоактивных и родственных материалов(Анализ современного состояния и перспективы развития)(LFPM-2018).г. Ростов –на –Дону-г.Туапсе,20-24 сентября 2018 г., том 2, стр112-113.

Расчет концентрации электронов в кристалле алмаза в температурном интервале(100-700)К Труды Седьмого междисциплинарного молодежного симпозиума «Физика бессвинцовых Пъезоактивных и родственных материалов(Анализ современного состояния и перспективы развития)(LFPM-2018).г. Ростов –на –Дону-г.Туапсе,20-24 сентября 2018 г., том 2, стр.114-118.

Температурная зависимость уровня Ферми в донорном полупроводнике кремнии Труды Седьмого междисциплинарного молодежного симпозиума «Физика безсвинцовых Пъезоактивных и родственных материалов(Анализ современного состояния и перспективы развития)(LFPM-2018).г. Ростов –на –Дону-г.Туапсе,20-24 сентября 2018 г.,том 2, стр.119-121.

Энергия уровней создаваемых в кремнии примесями никеля, серы и марганца. Современная математика и ее приложения. Материалы международной научно-практической конференции.Грозный,21-23 октября 2018год.Стр.89-91

Энергия уровней создаваемых в кремнии примесями никеля, серы и марганца. Современная математика и ее приложения. Материалы международной научно-практической конференции.Грозный,21-23 октября 2018год.Стр.89-91 Факторы, влияющие на температуру вырождения собственного полупроводника антимонида индия. Современная математика и ее приложения. Материалы международной научно-практической конференции. Грозный,21-23 октября 2018год.Стр.92-93.

Влияние электрических полей формируемых при освещении кристалла кварца на его оптическую индикатрису Известия Чеченского государственного университета,№1, выпуск 9,Грозный, 28 мая 2018 год. Стр. 24-28.

Влияние примеси железа на уровни в запрещенной зоне кристалла LiNbO3 Ordering in Minerals and Alloys. 21-th Yubilee International meeting. 9-14 of September, 2019. Rostov-on-Don-Chepsi. Russia , p. 103-104.

К методике определения подвижности неравновесных нетермализованных носителей заряда в средах без центра симметрии Ordering in Minerals and Alloys. 21-th Yubilee International meeting. 9-14 of September, 2019. Rostov-on-Don-Chepsi. Russia , p. 105-109.

Влияние температуры на величину потенциального барьера в гетеропереходе, возникающем при контакте полупроводника германия и кремния. Труды Восьмого междисциплинарного молодежного симпозиума «Физика безсвинцовых Пъезоактивных и родственных материалов(Анализ современного состояния и перспективы развития)(LFPM-2019).г. Ростов –на –Дону,25-27 сентября 2019 г.,том 2, стр.7-12.

Влияние уровней, создаваемых вакансиями на тип проводимости кристаллов ZnS Труды Восьмого междисциплинарного молодежного симпозиума «Физика безсвинцовых пъезоактивных и родственных материалов(Анализ современного состояния и перспективы развития)(LFPM-2019).г. Ростов –на –Дону-г.Туапсе,25-27 сентября 2019 г., том 2, стр.13-16.

Зависимость роста кристалла от температуры Известия Чеченского государственного университета,№4, выпуск 16,Грозный, 02 декабря 2019 год. Стр. 7-11.

Факторы, влияющие на ширину запрещенной зоны полупроводников Материалы Всесоюзной научно-технической конференции с международным участием «Актуальные проблемы физики конденсированного состояния». 29 февраля 2020г.Россия, Чеченская республика,г. Грозный.ФБГБОУ «ГГНТУ имени акдемика М.Д. Миллионшикова». Стр.86-89

Влияние примесей на ширину запрещенной зоны ниобата лития Материалы Всесоюзной научно-технической конференции с международным участием «Актуальные проблемы физики конденсированного состояния». 29 февраля 2020г.Россия, Чеченская республика,г. Грозный.ФБГБОУ «ГГНТУ имени акдемика М.Д. Миллионшикова». Стр.86-89

Перспективные теплоизолирующие материалы Материалы Всесоюзной научно-технической конференции с международным участием «Актуальные проблемы физики конденсированного состояния». 29 февраля 2020г.Россия, Чеченская республика,г. Грозный.ФБГБОУ «ГГНТУ имени акдемика М.Д. Миллионшикова». Стр.174-178

Влияние интенсивности освещения на величину баръера Шотки в контакте Алюминий - Арсенид галлия. Труды девятого междисциплинарного молодежного симпозиума «Физика безсвинцовых пъезоактивных и родственных материалов.Моделирование Эко-систем(Анализ современного состояния и перспективы развития)(LFPM-2020. Ростов-на- Дону-Таганрог.Издательство Южного федерального университетаю2020 г. Стр.55-58.

Изучение влияния температуры на разность теплоемкости при постоянном давлении и постоянном объеме полупроводника Труды девятого междисциплинарного молодежного симпозиума «Физика безсвинцовых пъезоактивных и родственных материалов.Моделирование Эко-систем(Анализ современного состояния и перспективы развития)(LFPM-2020. Ростов-на- Дону-Таганрог. Издательство Южного федерального университетаю2020 г.Стр.59-61.

Использование кристаллов ZnS в качестве активного элемента лазера. Труды девятого междисциплинарного молодежного симпозиума «Физика безсвинцовых пъезоактивных и родственных материалов.Моделирование Эко-систем(Анализ современного состояния и перспективы развития)(LFPM-2020. Ростов-на- Дону-Таганрог. Издательство Южного федерального университетаю2020 г.Стр.62-64.

Температурная зависимость времени релаксации неравновесных носителей заряда вполупроводнике ZnS при наличии всех механизмов рассеяния. Труды девятого междисциплинарного молодежного симпозиума «Физика безсвинцовых пъезоактивных и родственных материалов.Моделирование Эко-систем(Анализ современного состояния и перспективы развития)(LFPM-2020. Ростов-на- Дону-Таганрог. Издательство Южного федерального университетаю2020 г.Стр.65-68.

Факторы, влияющие на процесс роста кристаллов С6H8O7 Известия Чеченского государственного университета.№4(20),2020, с. 30-33

Kinetic phenomena in environments without a center of symmetry. Ferroelectrics (2020) , 567:1, 206-222, DOI: 10.1080/00150193.2020.1791607(БД –Scopus, Имракт фактор - 0,750, квартиль –Q3)

ВЛИЯНИЕ ПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА НА ВЕЛИЧИНУ БАРЬЕРА ШОТКИ «Актуальные проблемы современной науки и техники: теория, технология, методология и практика», Материалы международной научно-практической онлайн-конференции приуроченной к 60-ти летию член-корреспондента Академии наук ЧР, доктора технических наук, профессора Сайд-Альви Юсуповича Муртазаева. 28 апреля 2021 г. Россия, Чеченская Республика, г. Грозный.Стр.11-14

Влияние интенсивности на вентильную фото-ЭДС в p-n переходе «Актуальные вопросы физико-математического образования» Материалы межрегиональной научно-практической конференции. 29 апреля 2021 г, Россия, Чеченская Республика, г. Грозный.Стр.243-247.